Продукція > PANJIT > PJW4P06A_R2_00001
PJW4P06A_R2_00001

PJW4P06A_R2_00001 Panjit

PJW4P06A-2949501.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 37865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.31 грн
11+31.61 грн
100+17.94 грн
500+13.71 грн
1000+12.06 грн
2500+9.40 грн
10000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJW4P06A_R2_00001 Panjit

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PJW4P06A_R2_00001 за ціною від 10.58 грн до 50.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.46 грн
10+30.27 грн
100+19.43 грн
500+13.84 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+36.71 грн
94+11.21 грн
257+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.