Продукція > PANJIT > PJW4P06A_R2_00001
PJW4P06A_R2_00001

PJW4P06A_R2_00001 Panjit

PJW4P06A-2949501.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 37865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.81 грн
11+30.63 грн
100+17.39 грн
500+13.28 грн
1000+11.68 грн
2500+9.11 грн
10000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJW4P06A_R2_00001 Panjit

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Supplier Device Package: SOT-223, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції PJW4P06A_R2_00001 за ціною від 12.52 грн до 50.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.85 грн
10+30.51 грн
100+19.58 грн
500+13.95 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW4P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.