PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor



Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.00 грн
48+8.75 грн
62+6.72 грн
100+6.04 грн
500+4.75 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 28 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.35A, Power dissipation: 223mW, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 1.2A, Gate charge: 1nC.

Інші пропозиції PJX138K_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 Panjit 1AE62EEA633DB47B7875DA251818AF4A63F97860BE155C991DBE14B5842BCB4C.pdf MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 18429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 1AE62EEA633DB47B7875DA251818AF4A63F97860BE155C991DBE14B5842BCB4C.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 18429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.