PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 16.07 грн |
| 48+ | 8.71 грн |
| 83+ | 5.04 грн |
| 100+ | 4.53 грн |
| 250+ | 4.30 грн |
| 500+ | 4.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.35A, Pulsed drain current: 1.2A, Power dissipation: 223mW, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 1nC.
Інші пропозиції PJX138K_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJX138K_R1_00001 | Panjit |
 MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 20029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJX138K_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 20029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)