
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 28.75 грн |
15+ | 22.67 грн |
100+ | 13.39 грн |
1000+ | 7.80 грн |
4000+ | 6.55 грн |
8000+ | 6.03 грн |
24000+ | 5.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJX8601_R1_00001 Panjit
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції PJX8601_R1_00001 за ціною від 7.78 грн до 36.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJX8601_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PJX8601_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |