Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJX8603_R1_00001
PJX8603_R1_00001

PJX8603_R1_00001 Panjit International Inc.

PJX8603.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.37 грн
12000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJX8603_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції PJX8603_R1_00001 за ціною від 5.28 грн до 24.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8603.pdf Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 23920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
23+12.92 грн
50+9.25 грн
100+7.57 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Drain-source voltage: 50/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.95/1.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 360/-200mA
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+24.89 грн
29+14.36 грн
100+9.99 грн
170+5.53 грн
466+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 Panjit E299B70BA4D3C7240394CB3AAFF1D06E1474878B2CDCD731A348F0EA2F6A2E10.pdf MOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 23920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
23+12.92 грн
50+9.25 грн
100+7.57 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Drain-source voltage: 50/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.95/1.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 360/-200mA
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.89 грн
29+14.36 грн
100+9.99 грн
170+5.53 грн
466+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 E299B70BA4D3C7240394CB3AAFF1D06E1474878B2CDCD731A348F0EA2F6A2E10.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.