PJX8803_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.42 грн |
| 13+ | 23.80 грн |
| 100+ | 15.18 грн |
| 500+ | 10.72 грн |
| 1000+ | 9.46 грн |
| 2000+ | 8.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJX8803_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції PJX8803_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJX8803_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJX8803_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)