PJX8838_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.88 грн |
| 16+ | 19.54 грн |
| 50+ | 14.10 грн |
| 100+ | 11.57 грн |
| 500+ | 8.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJX8838_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції PJX8838_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PJX8838_R1_00001 | Panjit International Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 32000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
PJX8838_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| PJX8838-R1-00001 | Panjit | MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
PJX8838_R1_00001 | PanJit |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; SOT563 Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Kind of package: reel; tape Case: SOT563 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 68A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PJX8838_R1_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PJX8838_R1_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PJX8838_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; SOT563
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; SOT563
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




