Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJX8872B_R1_00001
PJX8872B_R1_00001

PJX8872B_R1_00001 Panjit International Inc.

PJX8872B.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.27 грн
23+13.38 грн
50+9.58 грн
100+7.83 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 14 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJX8872B_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції PJX8872B_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJX8872B_R1_00001 PJX8872B_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8872B.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 PJX8872B_R1_00001 Panjit 38231BEE2CEC156CF181096405047A1B5F71F2B8A563DED3D695A7F539604C6A.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B-R1-00001 PJX8872B-R1-00001 Panjit PJX8872B-1869068.pdf MOSFETs SOT563 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 PanJit PJX8872B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 0.2A; 300mW
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.82nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 PJX8872B.pdf
PJX8872B_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 38231BEE2CEC156CF181096405047A1B5F71F2B8A563DED3D695A7F539604C6A.pdf
PJX8872B_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B-R1-00001 PJX8872B-1869068.pdf
PJX8872B-R1-00001
Виробник: Panjit
MOSFETs SOT563 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 PJX8872B.pdf
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 0.2A; 300mW
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.82nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.