Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PM150DSA120
- IGBT Module
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Collector Current, Ic:150A
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):3.2V
- Power Dissipation, Pd:960W
- Package/Case:Module
Інші пропозиції PM150DSA120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PM150DSA120 | module |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| PM150DSA-120 | MIT | MODULE |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PM150DSA120 |
![]() |
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| PM150DSA-120 |
Виробник: MIT
MODULE
MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



