на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4179+ | 3.07 грн |
| 6000+ | 2.81 грн |
| 9000+ | 2.79 грн |
| 15000+ | 2.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBF170,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMBF170,215 за ціною від 2.26 грн до 23.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 60V .3A N-CH MOSFET |
на замовлення 42717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMBF170,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
SOT-23 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMBF170,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |