Продукція > NEXPERIA > PMBT3904QAZ
PMBT3904QAZ

PMBT3904QAZ Nexperia

pmbt3904qa.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 99890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5661+6.27 грн
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 5661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMBT3904QAZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMBT3904QAZ за ціною від 3.70 грн до 16.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMBT3904QAZ PMBT3904QAZ Nexperia USA Inc. PMBT3904QA.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 440 mW
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
31+9.80 грн
100+6.09 грн
500+4.19 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ PMBT3904QAZ Nexperia PMBT3904QA.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBT3904QA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ PMBT3904QAZ NEXPERIA 2648645.pdf Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ PMBT3904QAZ NEXPERIA 2648645.pdf Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ NXP Semiconductors PMBT3904QA.pdf PMBT3904QAZ
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5661+6.27 грн
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 5661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ PMBT3904QA.pdf
PMBT3904QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 440 mW
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.31 грн
31+9.80 грн
100+6.09 грн
500+4.19 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ PMBT3904QA.pdf
PMBT3904QAZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PMBT3904QA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ 2648645.pdf
PMBT3904QAZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ 2648645.pdf
PMBT3904QAZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: DFN1010D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT3904QAZ PMBT3904QA.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
PMBT3904QAZ
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5661+6.27 грн
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 5661 шт
В кошику  од. на суму  грн.