PMBT3904VS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 5.79 грн |
| 8000+ | 5.06 грн |
| 12000+ | 4.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBT3904VS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 240mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMBT3904VS,115 за ціною від 5.38 грн до 43.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMBT3904VS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 360mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMBT3904VS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 240mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMBT3904VS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-666Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 360mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMBT3904VS,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PMBT3904VS/SOT666/SOT6 |
на замовлення 12082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMBT3904VS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 240mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMBT3904VS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 360mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMBT3904VS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 360mW 6-Pin SOT-666 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 360mW 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2484+ | 14.27 грн |
| PMBT3904VS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 240mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 240mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.15 грн |
| 250+ | 16.62 грн |
| 1000+ | 10.21 грн |
| 2000+ | 8.45 грн |
| PMBT3904VS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 360mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.28 грн |
| 19+ | 16.57 грн |
| 100+ | 10.46 грн |
| 500+ | 7.31 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 2000+ | 5.81 грн |
| PMBT3904VS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PMBT3904VS/SOT666/SOT6
Bipolar Transistors - BJT PMBT3904VS/SOT666/SOT6
на замовлення 12082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.65 грн |
| 16+ | 20.24 грн |
| 100+ | 11.10 грн |
| 500+ | 8.31 грн |
| 1000+ | 7.33 грн |
| 2000+ | 6.63 грн |
| 4000+ | 5.38 грн |
| PMBT3904VS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 240mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMBT3904VS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 240 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 240mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 43.10 грн |
| 50+ | 26.15 грн |
| 250+ | 16.62 грн |
| 1000+ | 10.21 грн |
| 2000+ | 8.45 грн |
| PMBT3904VS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 360mW 6-Pin SOT-666 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 360mW 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





