
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14564+ | 2.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBT5550,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBT5550,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMBT5550,215 за ціною від 2.05 грн до 20.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 164064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 20981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Current gain: 250 Frequency: 300MHz |
на замовлення 5259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Current gain: 250 Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMBT5550,215 Код товару: 187547
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
PMBT5550,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |