
PMBT5551,215 NEXPERIA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBT5551,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMBT5551,215 за ціною від 1.57 грн до 34.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1365000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 5203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 22313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMBT5551,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 275 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMBT5551,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |