Технічний опис PMBT5551,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMBT5551,215 за ціною від 3.66 грн до 23.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMBT5551,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2130273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1365000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 234273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 300mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PMBT5551,215 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2130273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3756+ | 5.42 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1365000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5661+ | 6.24 грн |
| 10000+ | 5.56 грн |
| 100000+ | 4.66 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 234273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5661+ | 6.24 грн |
| 10000+ | 5.56 грн |
| 100000+ | 4.66 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5661+ | 6.24 грн |
| 10000+ | 5.56 грн |
| 100000+ | 4.66 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.01 грн |
| 500+ | 7.27 грн |
| 1500+ | 6.26 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 23.30 грн |
| 26+ | 12.70 грн |
| 100+ | 6.96 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |
| 3000+ | 3.66 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMBT5551,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 23.30 грн |
| 56+ | 14.85 грн |
| 100+ | 10.01 грн |
| 500+ | 7.27 грн |
| 1500+ | 6.26 грн |
| PMBT5551,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.





