PMBT5551-QR Nexperia
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11628+ | 2.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBT5551-QR Nexperia
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMBT5551-QR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMBT5551-QR | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
| PMBT5551-QR | Виробник : NEXPERIA |
PMBT5551-Q/SOT323/SC-70 |
товару немає в наявності |
||
 |
PMBT5551-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
|
|
PMBT5551-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
PMBT5551-QR | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 160V .3A NPN HI VLT BJT |
товару немає в наявності |