Продукція > NEXPERIA > PMBT5551-QVL
PMBT5551-QVL

PMBT5551-QVL Nexperia

pmbt5551-q.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4755+6.73 грн
10000+5.99 грн
100000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4755
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMBT5551-QVL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBT5551-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMBT5551-QVL за ціною від 2.99 грн до 24.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMBT5551-QVL PMBT5551-QVL Виробник : NEXPERIA 3795396.pdf Description: NEXPERIA - PMBT5551-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+24.00 грн
56+16.21 грн
100+10.21 грн
500+5.43 грн
1000+3.92 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551-QVL PMBT5551-QVL Виробник : NEXPERIA 3795396.pdf Description: NEXPERIA - PMBT5551-QVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+24.00 грн
56+16.21 грн
100+10.21 грн
500+5.43 грн
1000+3.92 грн
5000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551-QVL Виробник : NEXPERIA pmbt5551-q.pdf PMBT5551-Q/SOT323/SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551-QVL PMBT5551-QVL Виробник : Nexperia USA Inc. PMBT5551-Q.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMBT5551-QVL PMBT5551-QVL Виробник : Nexperia PMBT5551-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 160V .3A NPN HI VLT BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.