
на замовлення 1136700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6708+ | 1.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMBTA06,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBTA06,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMBTA06,215 за ціною від 0.85 грн до 15.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed collector current: 1A |
на замовлення 6513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6513 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 45187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 44516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
PMBTA06,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |