PMCA14UNYL NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCA14UNYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 11 V, 14 A, 0.0132 ohm, DSN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 11V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: DSN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0132ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.57 грн |
| 500+ | 23.19 грн |
| 1000+ | 15.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCA14UNYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCA14UNYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 11 V, 14 A, 0.0132 ohm, DSN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 11V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: DSN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0132ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMCA14UNYL за ціною від 10.11 грн до 56.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCA14UNYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 6 V |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCA14UNYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMCA14UN/NAX000/NONE |
на замовлення 10662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCA14UNYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCA14UNYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 11 V, 14 A, 0.0132 ohm, DSN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 11V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: DSN1010 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCA14UNYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DSN1010-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 3.3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |