
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 43.39 грн |
10+ | 34.86 грн |
100+ | 20.65 грн |
500+ | 15.52 грн |
1000+ | 11.64 грн |
2500+ | 10.69 грн |
5000+ | 10.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCB60XNEZ Nexperia
Description: PMCB60XNE/SOT8026/DSN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DSN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMCB60XNEZ за ціною від 9.17 грн до 46.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMCB60XNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: DSN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V |
на замовлення 7717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMCB60XNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: DSN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |