PMCB60XNZ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.03 грн |
| 500+ | 12.63 грн |
| 1000+ | 10.38 грн |
| 5000+ | 9.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCB60XNZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMCB60XNZ за ціною від 7.96 грн до 50.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCB60XNZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMCB60XN/NAX000/NONE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: DSN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 15 V |
на замовлення 8243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCB60XNZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCB60XN/NAX000/NONE |
на замовлення 16205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCB60XNZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: DSN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCB60XNZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMCB60XN/NAX000/NONE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: DSN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |