PMCB60XNZ

PMCB60XNZ Nexperia USA Inc.


PMCB60XN.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMCB60XN/NAX000/NONE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCB60XNZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: DSN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMCB60XNZ за ціною від 8.09 грн до 51.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMCB60XNZ PMCB60XNZ Виробник : NEXPERIA PMCB60XN.pdf Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.27 грн
500+12.84 грн
1000+10.55 грн
5000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMCB60XNZ PMCB60XNZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCB60XN.pdf Description: PMCB60XN/NAX000/NONE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 15 V
на замовлення 18177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.18 грн
16+19.86 грн
100+13.49 грн
500+11.87 грн
1000+10.33 грн
2000+9.60 грн
5000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMCB60XNZ PMCB60XNZ Виробник : Nexperia PMCB60XN-2498278.pdf MOSFET PMCB60XN/NAX000/NONE
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.04 грн
11+31.66 грн
100+15.36 грн
1000+9.61 грн
2500+9.23 грн
10000+8.24 грн
20000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMCB60XNZ PMCB60XNZ Виробник : NEXPERIA PMCB60XN.pdf Description: NEXPERIA - PMCB60XNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.04 ohm, DSN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: DSN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.00 грн
27+31.65 грн
100+15.27 грн
500+12.84 грн
1000+10.55 грн
5000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.