на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 6.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM4401UPEZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCM4401UPEZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.075 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції PMCM4401UPEZ за ціною від 6.19 грн до 33.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCM4401UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMCM4401UPEZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.075 ohm, WLCSP, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCM4401UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 10 V |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCM4401UPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCM4401UPE/NAX000/NONE |
на замовлення 12389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCM4401UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM4401UPEZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.075 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMCM4401UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
PMCM4401UPEZ SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
PMCM4401UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 10 V |
товар відсутній |