PMCM4401UPEZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 10 V
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.87 грн |
| 13+ | 22.89 грн |
| 100+ | 13.73 грн |
| 500+ | 11.93 грн |
| 1000+ | 8.12 грн |
| 2000+ | 7.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM4401UPEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMCM4401UPEZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.075 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMCM4401UPEZ за ціною від 6.38 грн до 32.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCM4401UPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCM4401UPE/NAX000/NONE |
на замовлення 12389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCM4401UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM4401UPEZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.075 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMCM4401UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |