Продукція > NEXPERIA > PMCM4402UPEZ
PMCM4402UPEZ

PMCM4402UPEZ Nexperia


PMCM4402UPE-1319266.pdf Виробник: Nexperia
MOSFET PMCM4402UPE/NAX000/NONE
на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.01 грн
29+12.29 грн
100+8.84 грн
9000+7.61 грн
45000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCM4402UPEZ Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj), Power Dissipation (Max): 400mW, Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції PMCM4402UPEZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMCM4402UPEZ PMCM4402UPEZ Виробник : NEXPERIA pmcm4402upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 4-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCM4402UPEZ PMCM4402UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCM4402UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Power Dissipation (Max): 400mW
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCM4402UPEZ PMCM4402UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCM4402UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Power Dissipation (Max): 400mW
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.