Продукція > NEXPERIA > PMCM440VNEZ

PMCM440VNEZ Nexperia

Виробник: Nexperia
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET

на замовлення 5205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMCM440VNEZ Nexperia

Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V.

Інші пропозиції PMCM440VNEZ

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PMCM440VNEZ	Виробник : NEXPERIA	Trans MOSFET N-CH 12V 3.9A 4-Pin WLCSP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMCM440VNEZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMCM440VNEZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.