
PMCM6501VPEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.21 грн |
10+ | 43.83 грн |
100+ | 28.52 грн |
500+ | 20.59 грн |
1000+ | 18.60 грн |
2000+ | 16.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM6501VPEZ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V.
Інші пропозиції PMCM6501VPEZ за ціною від 15.27 грн до 15.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 202485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |