на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4500+ | 16.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM6501VPEZ Nexperia
Description: MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V.
Інші пропозиції PMCM6501VPEZ за ціною від 11.88 грн до 75.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 76500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 22495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 112495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 157495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 79944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 79944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMCM6501VPE/NAX000/NONE |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V |
на замовлення 4435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VPEZ - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 202485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| PMCM6501VPEZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
на замовлення 7773886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
PMCM6501VPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.2A 6-Pin WLCSP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; WLCSP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4A Pulsed drain current: -25A Case: WLCSP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 4500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| PMCM6501VPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; WLCSP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4A Pulsed drain current: -25A Case: WLCSP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |