Продукція > NEXPERIA > PMCM650CUNEZ
PMCM650CUNEZ

PMCM650CUNEZ NEXPERIA


PMCM650CUNE.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 105715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 4500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCM650CUNEZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.

Інші пропозиції PMCM650CUNEZ за ціною від 12.1 грн до 44.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Виробник : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.38 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Виробник : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.45 грн
20+ 37.5 грн
100+ 23.38 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 17
PMCM650CUNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCM650CUNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 556mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.18 грн
10+ 31.77 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.67 грн
2000+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Виробник : NEXPERIA pmcm650cune.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
PMCM650CUNEZ Виробник : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 16A
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.6A
Case: WLCSP6
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 71mΩ
Pulsed drain current: 16A
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 13nC
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 4500 шт
товар відсутній
PMCM650CUNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCM650CUNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 556mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
товар відсутній
PMCM650CUNEZ PMCM650CUNEZ Виробник : Nexperia PMCM650CUNE-1319480.pdf MOSFET PMCM650CUNE/NAX000/NONE
товар відсутній
PMCM650CUNEZ Виробник : NEXPERIA PMCM650CUNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 16A
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.6A
Case: WLCSP6
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 71mΩ
Pulsed drain current: 16A
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 13nC
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
товар відсутній