на замовлення 105715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1528+ | 14.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCM650CUNEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.
Інші пропозиції PMCM650CUNEZ за ціною від 13.34 грн до 48.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCM650CUNEZ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 105715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMCM650CUNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: -V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMCM650CUNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM650CUNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: -V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm |
на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMCM650CUNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin WLCSP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PMCM650CUNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 16A; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Case: WLCSP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD кількість в упаковці: 4500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
PMCM650CUNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 556mW (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PMCM650CUNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 6WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 556mW (Ta) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PMCM650CUNEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMCM650CUNE/NAX000/NONE |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PMCM650CUNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 16A; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Case: WLCSP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD |
товару немає в наявності |