Інші пропозиції PMCPB5530X,115 транзистор за ціною від 14.77 грн до 16.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMCPB5530X,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PMCPB5530X,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PMCPB5530X,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PMCPB5530X,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
PMCPB5530X,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCPB5530X,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMCPB5530X,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 925+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 14.77 грн |
| PMCPB5530X,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 668+ | 15.39 грн |
| 1000+ | 14.83 грн |
| PMCPB5530X,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 740+ | 16.56 грн |
| PMCPB5530X,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 857+ | 16.56 грн |
| PMCPB5530X,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCPB5530X,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMCPB5530X,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




