Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMCPB5530X,115
PMCPB5530X,115

PMCPB5530X,115 Nexperia USA Inc.

PMCPB5530X.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.52 грн
6000+10.06 грн
9000+9.85 грн
15000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCPB5530X,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMCPB5530X,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMCPB5530X,115 за ціною від 10.24 грн до 36.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : NEXPERIA 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
925+13.19 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 925
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
668+14.20 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 668
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
857+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 857
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
740+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMCPB5530X.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 31715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.76 грн
15+21.02 грн
100+15.68 грн
500+12.92 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003512990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMCPB5530X,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.026ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.026ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.97 грн
34+25.00 грн
100+18.24 грн
500+12.78 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia PMCPB5530X.pdf MOSFETs 20 V, complementary Trench MOSFET
на замовлення 94787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.71 грн
14+25.11 грн
100+15.96 грн
500+12.35 грн
1000+12.27 грн
3000+10.46 грн
6000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : NEXPERIA 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 транзистор
Код товару: 197783
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 PMCPB5530X,115 Виробник : Nexperia 4493314441459420pmcpb5530x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 Виробник : NEXPERIA PMCPB5530X.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 5.3/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.3/-4.5A
Pulsed drain current: -14...12A
Case: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118
Gate-source voltage: ±12/±12V
On-state resistance: 34/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCPB5530X,115 Виробник : NEXPERIA PMCPB5530X.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 5.3/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.3/-4.5A
Pulsed drain current: -14...12A
Case: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118
Gate-source voltage: ±12/±12V
On-state resistance: 34/70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7/12.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.