PMCPB5530XAX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCPB5530XAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 40.19 грн |
| 25+ | 34.08 грн |
| 100+ | 23.69 грн |
| 500+ | 17.17 грн |
| 1000+ | 13.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCPB5530XAX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCPB5530XAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 3.6 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMCPB5530XAX за ціною від 11.26 грн до 58.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCPB5530XAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMCPB5530XA/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCPB5530XAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMCPB5530XAX | Виробник : Nexperia |
Complementary Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMCPB5530XAX | Виробник : Nexperia |
Complementary Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMCPB5530XAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |