Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCXB1000UEZ Nexperia
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V, Power - Max: 285mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel Complementary, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V.
Інші пропозиції PMCXB1000UEZ за ціною від 16.48 грн до 46.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCXB1000UEZ | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFNPart Status: Active Supplier Device Package: DFN1010B-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 285mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PMCXB1000UEZ | Nexperia |
MOSFETs SOT1216 NPCH 30V .59 A |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| PMCXB1000UEZ | NXP Semiconductors |
PMCXB1000UEZ |
на замовлення 242520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMCXB1000UEZ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.18 грн |
| 11+ | 27.50 грн |
| 50+ | 20.00 грн |
| 100+ | 16.48 грн |
| PMCXB1000UEZ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1216 NPCH 30V .59 A
MOSFETs SOT1216 NPCH 30V .59 A
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMCXB1000UEZ |
|
Виробник: NXP Semiconductors
PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ
на замовлення 242520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1453+ | 24.19 грн |
| 10000+ | 21.57 грн |
| 100000+ | 18.07 грн |