Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.56 грн
13+25.36 грн
100+16.22 грн
500+11.50 грн
1000+9.58 грн
2000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції PMCXB1000UEZ за ціною від 9.21 грн до 43.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMCXB1000UEZ PMCXB1000UEZ Виробник : Nexperia PMCXB1000UE.pdf MOSFETs 30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.65 грн
12+29.62 грн
100+16.55 грн
500+12.55 грн
1000+9.87 грн
2500+9.80 грн
5000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB1000UEZ PMCXB1000UEZ Виробник : NEXPERIA 4274308115862650pmcxb1000ue.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.59A/0.41A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB1000UEZ Виробник : NEXPERIA PMCXB1000UE.pdf PMCXB1000UEZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB1000UEZ PMCXB1000UEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCXB1000UE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.