Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMCXB290UEZ
PMCXB290UEZ

PMCXB290UEZ Nexperia USA Inc.

PMCXB290UE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.93A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc), 570mA (Ta), 2.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V, 53.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, 770mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.56 грн
17+18.46 грн
100+11.67 грн
500+8.17 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCXB290UEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.93A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc), 570mA (Ta), 2.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V, 53.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, 770mOhm @ 1.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 0.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6.

Інші пропозиції PMCXB290UEZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMCXB290UEZ PMCXB290UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB290UE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.93A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc), 570mA (Ta), 2.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V, 53.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, 770mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB290UEZ PMCXB290UEZ Nexperia PMCXB290UE.pdf MOSFETs SOT1216 NPCH 20V .93A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB290UEZ PMCXB290UE.pdf
PMCXB290UEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.93A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc), 570mA (Ta), 2.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V, 53.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, 770mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB290UEZ PMCXB290UE.pdf
PMCXB290UEZ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1216 NPCH 20V .93A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.