Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMD2001D,115
PMD2001D,115

PMD2001D,115 Nexperia USA Inc.

PMD2001D.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 40V
Package / Case: SC-74, SOT-457
Current Rating (Amps): 600mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Applications: MOSFET Driver
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.53 грн
6000+5.16 грн
9000+5.07 грн
15000+4.67 грн
21000+4.62 грн
30000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMD2001D,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMD2001D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 320 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 320mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 320mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMD2001D,115 за ціною від 5.23 грн до 13.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMD2001D,115 PMD2001D,115 Nexperia USA Inc. PMD2001D.pdf Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 40V
Package / Case: SC-74, SOT-457
Current Rating (Amps): 600mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Applications: MOSFET Driver
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 31215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.86 грн
33+9.04 грн
37+8.03 грн
100+6.43 грн
250+5.90 грн
500+5.58 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 PMD2001D,115 Nexperia PMD2001D.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
на замовлення 186259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 PMD2001D,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMD2001D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 320 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 320mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 320mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 PMD2001D,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMD2001D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 320 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 320mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 320mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 PMD2001D.pdf
PMD2001D,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 40V
Package / Case: SC-74, SOT-457
Current Rating (Amps): 600mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Applications: MOSFET Driver
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 31215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.86 грн
33+9.04 грн
37+8.03 грн
100+6.43 грн
250+5.90 грн
500+5.58 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 PMD2001D.pdf
PMD2001D,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
на замовлення 186259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 NEXP-S-A0002882636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMD2001D,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMD2001D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 320 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 320mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 320mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMD2001D,115 NEXP-S-A0002882636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMD2001D,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMD2001D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 320 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 50hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 320mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 320mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.