PMDPB30XN,115

PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc.


PMDPB30XN.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.81 грн
6000+9.30 грн
9000+8.72 грн
15000+7.92 грн
21000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMDPB30XN,115 за ціною від 8.24 грн до 46.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : Nexperia PMDPB30XN-1664458.pdf MOSFET PMDPB30XN/SOT1118/HUSON6
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.54 грн
11+31.98 грн
100+15.16 грн
1000+10.52 грн
3000+9.27 грн
9000+8.31 грн
24000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060134-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.58 грн
26+32.10 грн
100+20.55 грн
500+14.48 грн
1000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB30XN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 24268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
11+28.20 грн
100+14.35 грн
500+12.64 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 PMDPB30XN,115 Виробник : NEXPERIA 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115 Виробник : NEXPERIA PMDPB30XN.pdf PMDPB30XN.115 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.