на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 34.16 грн |
| 13+ | 28.11 грн |
| 100+ | 17.03 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 11.01 грн |
| 3000+ | 9.32 грн |
| 6000+ | 9.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB30XNAX Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMDPB30XNAX за ціною від 13.79 грн до 50.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB30XNAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMDPB30XNAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |