Продукція > NEXPERIA > PMDPB30XNAX
PMDPB30XNAX

PMDPB30XNAX Nexperia

PMDPB30XNA.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.89 грн
12+29.44 грн
100+19.12 грн
500+15.03 грн
1000+12.43 грн
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB30XNAX Nexperia

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMDPB30XNAX за ціною від 13.98 грн до 51.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDPB30XNAX PMDPB30XNAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB30XNA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.52 грн
11+30.54 грн
100+19.62 грн
500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNAX PMDPB30XNAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB30XNA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.