PMDPB30XNAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.00 грн |
| 10+ | 34.57 грн |
| 50+ | 25.22 грн |
| 100+ | 20.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB30XNAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMDPB30XNAX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMDPB30XNAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
PMDPB30XNAX | Nexperia |
MOSFETs PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PMDPB30XNAX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PMDPB30XNAX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6
MOSFETs PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.