Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDPB30XNZ
PMDPB30XNZ

PMDPB30XNZ Nexperia USA Inc.

PMDPB30XN.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB30XNZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції PMDPB30XNZ за ціною від 9.94 грн до 61.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDPB30XNZ PMDPB30XNZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB30XN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.03 грн
10+34.20 грн
50+24.93 грн
100+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZ PMDPB30XNZ Виробник : Nexperia PMDPB30XN.pdf MOSFETs PMDPB30XN/SOT1118/HUSON6
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.94 грн
12+30.49 грн
100+21.09 грн
1000+12.73 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZ Виробник : NEXPERIA 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZ PMDPB30XNZ Виробник : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZ PMDPB30XNZ Виробник : Nexperia 4380102813521766pmdpb30xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZ Виробник : NEXPERIA PMDPB30XN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 12A
Case: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.