| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 602+ | 13.60 грн |
| 1000+ | 13.37 грн |
| 3000+ | 13.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
602 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB55XP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 490mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 490mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PMDPB55XP,115 за ціною від 13.60 грн до 54.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMDPB55XP,115 | Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMDPB55XP,115 | Nexperia |
MOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
PMDPB55XP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 490mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 490mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMDPB55XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1041+ | 13.60 грн |
| PMDPB55XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 15.02 грн |
| PMDPB55XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.52 грн |
| PMDPB55XP,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.08 грн |
| 10+ | 32.46 грн |
| 50+ | 23.75 грн |
| PMDPB55XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6
MOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMDPB55XP,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)