на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 10.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB55XP,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 490mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 490mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMDPB55XP,115 за ціною від 10.50 грн до 45.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDPB55XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 490mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 490mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 12837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia Inc. |
Mosfet Array 20V 3.4A 490mW Surface Mount 6-HUSON (2x2) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMDPB55XP.115 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PMDPB55XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
товару немає в наявності |