Продукція > NEXPERIA > PMDPB55XP,115
PMDPB55XP,115

PMDPB55XP,115 NEXPERIA

4380256381693400pmdpb55xp.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB55XP,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 490mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 490mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMDPB55XP,115 за ціною від 9.62 грн до 66.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1041+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 1041
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
602+12.75 грн
1000+12.54 грн
3000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia PMDPB55XP.pdf MOSFETs SOT1118 2PCH 20V 3.4A
на замовлення 9514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.45 грн
16+21.96 грн
100+15.27 грн
500+10.16 грн
3000+9.93 грн
6000+9.85 грн
9000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003510819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.81 грн
37+23.30 грн
100+18.59 грн
500+12.73 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB55XP.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.91 грн
10+40.01 грн
50+29.27 грн
100+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia Inc. PMDPB55XP.pdf Mosfet Array 20V 3.4A 490mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia 4380256381693400pmdpb55xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB55XP.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.