PMDPB55XPAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.81 грн |
| 10+ | 36.32 грн |
| 50+ | 26.60 грн |
| 100+ | 22.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB55XPAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMDPB55XPAX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB55XPAX | Nexperia |
MOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMDPB55XPAX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
MOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)