
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 40.67 грн |
10+ | 34.27 грн |
100+ | 20.70 грн |
500+ | 16.15 грн |
1000+ | 13.43 грн |
3000+ | 11.38 грн |
6000+ | 11.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB55XPAX Nexperia
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMDPB55XPAX за ціною від 13.64 грн до 57.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMDPB55XPAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMDPB55XPAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |