PMDPB56XNEAX Nexperia
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.87 грн |
| 6000+ | 9.76 грн |
| 9000+ | 9.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB56XNEAX Nexperia
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 485mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020D-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PMDPB56XNEAX за ціною від 10.28 грн до 65.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB56XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB56XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMDPB56XNEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 485mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB56XNEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 485mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020D-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 16558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMDPB56XNEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB56XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PMDPB56XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 2A; Idm: 12A; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Case: DFN2020D-6; SOT1118D Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 121mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |