PMDPB56XNEAX Nexperia USA Inc.


PMDPB56XNEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 485mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.50 грн
6000+11.02 грн
9000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB56XNEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN2020D-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 485mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive.

Інші пропозиції PMDPB56XNEAX за ціною від 12.08 грн до 60.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEAX Nexperia USA Inc. PMDPB56XNEA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 485mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 16558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.20 грн
10+32.00 грн
100+20.58 грн
500+14.69 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEAX Nexperia PMDPB56XNEA.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
6+60.94 грн
11+29.71 грн
100+20.74 грн
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEA.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 485mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 16558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.20 грн
10+32.00 грн
100+20.58 грн
500+14.69 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAX PMDPB56XNEA.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
КількістьЦіна
6+60.94 грн
11+29.71 грн
100+20.74 грн
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.