Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDPB58UPE,115
PMDPB58UPE,115

PMDPB58UPE,115 Nexperia USA Inc.

PMDPB58UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.15 грн
6000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB58UPE,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 515mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2).

Інші пропозиції PMDPB58UPE,115 за ціною від 8.95 грн до 42.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE,115 Виробник : Nexperia PMDPB58UPE.pdf MOSFETs PMDPB58UPE/SOT1118/HUSON6
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.53 грн
12+28.61 грн
100+18.64 грн
500+14.60 грн
1000+11.52 грн
3000+10.27 грн
9000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB58UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
11+28.59 грн
100+19.00 грн
500+13.53 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115 PMDPB58UPE,115 Виробник : NEXPERIA 599214780812418pmdpb58upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115 Виробник : NEXPERIA PMDPB58UPE.pdf PMDPB58UPE.115 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.