на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.61 грн |
| 12+ | 29.36 грн |
| 100+ | 19.13 грн |
| 500+ | 14.99 грн |
| 1000+ | 11.82 грн |
| 3000+ | 10.54 грн |
| 9000+ | 9.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB58UPE,115 Nexperia
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 515mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2).
Інші пропозиції PMDPB58UPE,115 за ціною від 34.83 грн до 58.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB58UPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMDPB58UPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
PMDPB58UPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) |
товару немає в наявності |