PMDPB70EN,115 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - PMDPB70EN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1780+ | 22.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB70EN,115 NXP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 510mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2).
Інші пропозиції PMDPB70EN,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB70EN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) |
товару немає в наявності |