
PMDPB70XP,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.83 грн |
12+ | 27.75 грн |
100+ | 17.76 грн |
500+ | 12.64 грн |
1000+ | 10.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB70XP,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 490mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції PMDPB70XP,115 за ціною від 8.04 грн до 46.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMDPB70XP,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMDPB70XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
PMDPB70XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
товару немає в наявності |