на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.67 грн |
| 9000+ | 8.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB70XPE,115 Nexperia
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 515mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції PMDPB70XPE,115 за ціною від 8.17 грн до 41.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB70XPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB70XPE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMDPB70XPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB70XPE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMDPB70XPE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDPB70XPE/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 13064 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB70XPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 6542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMDPB70XPE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMDPB70XPE.115 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |