PMDPB95XNE2X Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.66 грн |
| 12+ | 25.69 грн |
| 100+ | 15.08 грн |
| 500+ | 11.65 грн |
| 1000+ | 9.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB95XNE2X Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 510mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції PMDPB95XNE2X за ціною від 7.49 грн до 46.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB95XNE2X | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDPB95XNE2/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDPB95XNE2X | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 6-Pin HUSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMDPB95XNE2X | Виробник : NEXPERIA |
PMDPB95XNE2X Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PMDPB95XNE2X | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
товару немає в наявності |