Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PMDPB95XNE2X
PMDPB95XNE2X

PMDPB95XNE2X NXP Semiconductors

PMDPB95XNE2.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW (Ta), 8.33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
на замовлення 440930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2312+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2312
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDPB95XNE2X NXP Semiconductors

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 510mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Part Status: Active.

Інші пропозиції PMDPB95XNE2X за ціною від 7.49 грн до 46.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDPB95XNE2X PMDPB95XNE2X Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB95XNE2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
12+26.91 грн
100+14.28 грн
500+12.22 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB95XNE2X PMDPB95XNE2X Виробник : Nexperia PMDPB95XNE2.pdf MOSFETs PMDPB95XNE2/SOT1118/HUSON6
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.41 грн
12+28.86 грн
100+12.48 грн
1000+11.16 грн
3000+9.25 грн
9000+7.71 грн
24000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB95XNE2X PMDPB95XNE2X Виробник : NEXPERIA 580170075452155pmdpb95xne2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB95XNE2X Виробник : NEXPERIA PMDPB95XNE2.pdf PMDPB95XNE2X Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB95XNE2X PMDPB95XNE2X Виробник : Nexperia USA Inc. PMDPB95XNE2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.