PMDT290UCE,115

PMDT290UCE,115 Nexperia USA Inc.


PMDT290UCE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDT290UCE,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDT290UCE,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMDT290UCE,115 за ціною від 7.16 грн до 42.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Виробник : Nexperia PMDT290UCE-1535645.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UCE/SOT666/SOT6
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.16 грн
14+25.13 грн
100+11.93 грн
1000+9.03 грн
4000+7.61 грн
8000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDT290UCE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.73 грн
14+23.08 грн
100+14.72 грн
500+10.40 грн
1000+8.75 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Виробник : NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Description: NEXPERIA - PMDT290UCE,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.34 грн
32+26.61 грн
100+14.89 грн
500+11.89 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Виробник : Nexperia pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Виробник : Nexperia pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Виробник : NEXPERIA pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UCE,115 Виробник : NEXPERIA PMDT290UCE.pdf PMDT290UCE.115 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.