Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.00 грн
8000+5.45 грн
12000+5.29 грн
20000+4.94 грн
28000+4.79 грн
40000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMDT290UNE,115 за ціною від 4.43 грн до 36.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
481+25.31 грн
1067+11.42 грн
1531+7.95 грн
4000+6.92 грн
8000+5.14 грн
24000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.83 грн
26+23.50 грн
100+10.60 грн
1000+7.12 грн
4000+5.95 грн
8000+4.58 грн
24000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
16+20.11 грн
100+11.65 грн
500+8.95 грн
1000+7.98 грн
2000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : Nexperia PMDT290UNE.pdf MOSFETs NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 85140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
16+21.94 грн
100+9.39 грн
1000+7.78 грн
4000+6.39 грн
8000+5.36 грн
24000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.97 грн
36+23.46 грн
100+14.90 грн
500+10.40 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Виробник : NEXPERIA pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 Виробник : NEXPERIA PMDT290UNE.pdf PMDT290UNE.115 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.