Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.72 грн
8000+5.89 грн
12000+5.59 грн
20000+4.93 грн
28000+4.74 грн
40000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PMDT290UNE,115 за ціною від 5.38 грн до 42.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+19.00 грн
100+12.00 грн
500+8.42 грн
1000+7.50 грн
2000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia PMDT290UNE.pdf MOSFETs PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.24 грн
100+11.18 грн
500+8.28 грн
1000+7.46 грн
2000+6.63 грн
4000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.04 грн
32+25.85 грн
100+16.67 грн
500+11.44 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
16+19.00 грн
100+12.00 грн
500+8.42 грн
1000+7.50 грн
2000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.26 грн
16+20.24 грн
100+11.18 грн
500+8.28 грн
1000+7.46 грн
2000+6.63 грн
4000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNE,115 NEXP-S-A0003059744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMDT290UNE,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.04 грн
32+25.85 грн
100+16.67 грн
500+11.44 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.