на замовлення 31454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2341+ | 5.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDT290UNE,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMDT290UNE,115 за ціною від 4.90 грн до 36.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 31454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 11894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 11894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 67792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT666 2NCH 20V .8A |
на замовлення 41236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT290UNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMDT290UNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMDT290UNE.115 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |