Продукція > NEXPERIA > PMDT290UNEH
PMDT290UNEH

PMDT290UNEH NEXPERIA

3934173.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.99 грн
500+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDT290UNEH NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMDT290UNEH за ціною від 4.86 грн до 37.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : NEXPERIA 3934173.pdf Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.39 грн
44+19.06 грн
100+9.99 грн
500+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : Nexperia PMDT290UNE-1319334.pdf MOSFETs NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 8957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.75 грн
18+19.04 грн
100+8.68 грн
1000+7.14 грн
4000+6.92 грн
8000+5.74 грн
24000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
14+22.22 грн
100+11.79 грн
500+9.54 грн
1000+8.37 грн
2000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : NEXPERIA pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Виробник : Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.