Продукція > NEXPERIA > PMDT670UPE,115
PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115 NEXPERIA

3933532.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.66 грн
35+23.32 грн
100+11.58 грн
500+8.68 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDT670UPE,115 NEXPERIA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 330mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-666, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMDT670UPE,115 за ціною від 5.13 грн до 34.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDT670UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.88 грн
15+20.24 грн
100+12.81 грн
500+9.02 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 Виробник : Nexperia PMDT670UPE.pdf MOSFETs SOT666 2PCH 20V .55A
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.34 грн
15+21.02 грн
100+11.57 грн
500+8.69 грн
1000+7.67 грн
2000+6.78 грн
4000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMDT670UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.