PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.68 грн |
| 15+ | 21.00 грн |
| 100+ | 13.35 грн |
| 500+ | 9.39 грн |
| 1000+ | 8.37 грн |
| 2000+ | 7.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDT670UPE,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMDT670UPE,115 за ціною від 6.06 грн до 46.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDT670UPE,115 | Nexperia |
MOSFETs PMDT670UPE/SOT666/SOT6 |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMDT670UPE,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMDT670UPE,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMDT670UPE/SOT666/SOT6
MOSFETs PMDT670UPE/SOT666/SOT6
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.76 грн |
| 15+ | 22.29 грн |
| 100+ | 12.33 грн |
| 500+ | 9.30 грн |
| 1000+ | 8.25 грн |
| 2000+ | 7.40 грн |
| 4000+ | 6.06 грн |
| PMDT670UPE,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 46.71 грн |
| 27+ | 31.00 грн |
| 100+ | 19.98 грн |
| 500+ | 13.06 грн |
| 1000+ | 10.57 грн |