на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 5.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDT670UPE,115 NEXPERIA
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 330mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-666, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMDT670UPE,115 за ціною від 5.71 грн до 28.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDT670UPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDT670UPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT670UPE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT670UPE/SOT666/SOT6 |
на замовлення 4373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDT670UPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|