PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMDXB1200UPEZ за ціною від 5.36 грн до 34.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB1200UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDXB1200UPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B- |
на замовлення 13693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDXB1200UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDXB1200UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 285mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 5797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMDXB1200UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1798650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMDXB1200UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 410A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMDXB1200UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
PMDXB1200UPEZ Multi channel transistors |
товару немає в наявності |