PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc.


PMDXB1200UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMDXB1200UPEZ за ціною від 5.37 грн до 34.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Виробник : NEXPERIA PMDXB1200UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.55 грн
500+9.81 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Виробник : Nexperia PMDXB1200UPE-2938408.pdf MOSFETs PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
на замовлення 13693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.77 грн
20+17.01 грн
100+10.52 грн
1000+7.21 грн
5000+6.40 грн
10000+5.96 грн
50000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Виробник : NEXPERIA PMDXB1200UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.56 грн
49+17.00 грн
100+10.81 грн
500+7.51 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB1200UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
15+20.54 грн
100+10.97 грн
500+9.17 грн
1000+8.10 грн
2000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003510543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1798650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4911+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 4911
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Виробник : NEXPERIA 804086276182439pmdxb1200upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 410A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZ Виробник : NEXPERIA PMDXB1200UPE.pdf PMDXB1200UPEZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.