Продукція > NEXPERIA > PMDXB290UNEZ
PMDXB290UNEZ

PMDXB290UNEZ NEXPERIA

3917593.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.81 грн
500+7.97 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB290UNEZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PMDXB290UNEZ за ціною від 4.41 грн до 37.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ Виробник : NEXPERIA 3917593.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.65 грн
42+19.97 грн
100+10.81 грн
500+7.97 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.93A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
15+21.84 грн
100+11.02 грн
500+8.44 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ Виробник : Nexperia PMDXB290UNE-3084419.pdf MOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.51 грн
13+27.41 грн
100+13.46 грн
1000+6.84 грн
5000+5.89 грн
10000+4.71 грн
25000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.93A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.