Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDXB290UNEZ
PMDXB290UNEZ

PMDXB290UNEZ Nexperia USA Inc.

PMDXB290UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.93A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.07 грн
15+21.31 грн
100+10.75 грн
500+8.24 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB290UNEZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PMDXB290UNEZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ Nexperia PMDXB290UNE-3084419.pdf MOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ NEXPERIA 3917593.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNEZ NEXPERIA 3917593.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ PMDXB290UNE-3084419.pdf
PMDXB290UNEZ
Виробник: Nexperia
MOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ 3917593.pdf
PMDXB290UNEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZ 3917593.pdf
PMDXB290UNEZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.