Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc.

PMDXB550UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.01 грн
10000+6.49 грн
15000+6.42 грн
25000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції PMDXB550UNEZ за ціною від 6.11 грн до 38.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Виробник : Nexperia PMDXB550UNE.pdf MOSFETs PMDXB550UNE/SOT1216/DFN1010B-6
на замовлення 192880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
15+23.44 грн
100+10.30 грн
1000+8.31 грн
5000+7.36 грн
10000+6.25 грн
25000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 41263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
14+22.91 грн
100+11.68 грн
500+10.26 грн
1000+9.05 грн
2000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Виробник : NEXPERIA 805544083232860pmdxb550une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 590A Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZ Виробник : NEXPERIA PMDXB550UNE.pdf PMDXB550UNEZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.