Продукція > NEXPERIA > PMDXB590UPEZ
PMDXB590UPEZ

PMDXB590UPEZ NEXPERIA

3982298.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.56 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB590UPEZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PMDXB590UPEZ за ціною від 4.70 грн до 30.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDXB590UPEZ PMDXB590UPEZ Виробник : NEXPERIA 3982298.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.44 грн
55+14.98 грн
100+11.61 грн
500+8.56 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB590UPEZ PMDXB590UPEZ Виробник : Nexperia MOSFETs SOT1216 P CHAN 20V
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.22 грн
17+20.93 грн
100+8.22 грн
1000+5.65 грн
5000+5.58 грн
10000+4.84 грн
25000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB590UPEZ Виробник : NEXPERIA pmdxb590upe.pdf Dual P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.