Продукція > NEXPERIA > PMDXB600UNEZ
PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ Nexperia

804427522098711pmdxb600une.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2294+2.59 грн
3000+2.31 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 2294
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB600UNEZ Nexperia

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції PMDXB600UNEZ за ціною від 2.36 грн до 24.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4616+3.02 грн
5173+2.70 грн
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4616
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+4.07 грн
25000+3.86 грн
35000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+4.10 грн
25000+3.90 грн
35000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+5.13 грн
10000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+5.30 грн
10000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia PMDXB600UNE.pdf MOSFETs SOT1216 2NCH 20V .6A
на замовлення 33193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.42 грн
20+16.23 грн
100+5.84 грн
500+5.49 грн
1000+2.78 грн
2500+2.64 грн
5000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB600UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB600UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia 804427522098711pmdxb600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMDXB600UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZ Виробник : NEXPERIA PMDXB600UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.