PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 4.19 грн |
| 10000+ | 3.32 грн |
| 15000+ | 3.28 грн |
| 25000+ | 2.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDXB600UNEZ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції PMDXB600UNEZ за ціною від 3.24 грн до 28.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMDXB600UNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 265mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 76450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDXB600UNEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 265mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 76450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDXB600UNEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6 |
на замовлення 10271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDXB600UNEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMDXB600UNEZ | Виробник : NEXPERIA |
PMDXB600UNEZ Multi channel transistors |
товару немає в наявності |