на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDXB950UPELZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 380mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 380mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMDXB950UPELZ за ціною від 5.13 грн до 33.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB950UPELZ | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMDXB950UPELZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 19010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMDXB950UPELZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMDXB950UPELZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B- |
на замовлення 17598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMDXB950UPELZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 19010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMDXB950UPELZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 38023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMDXB950UPELZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |