PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc.


PMDXB950UPEL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+7.40 грн
10000+6.53 грн
15000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 380mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 380mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMDXB950UPELZ за ціною від 7.61 грн до 35.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia 86888970676201pmdxb950upel.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 24893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.47 грн
15+21.05 грн
100+13.39 грн
500+9.46 грн
1000+8.45 грн
2000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia PMDXB950UPEL-1539748.pdf MOSFETs PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-
на замовлення 17598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ NEXPERIA PMDXB950UPEL.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ NEXPERIA PMDXB950UPEL.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ 86888970676201pmdxb950upel.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 24893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.47 грн
15+21.05 грн
100+13.39 грн
500+9.46 грн
1000+8.45 грн
2000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL-1539748.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-
на замовлення 17598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.